第284章 半导体进阶技术

最大拉制直径:4英寸

缺陷密度控制:<1000个/平方厘米

掺杂控制:硼、磷、砷精确掺杂技术

【3. 半导体基础理论】

PN结物理模型及数学描述

晶体管工作原理与设计公式

半导体材料特性与参数表

杂质掺杂控制理论

热扩散与离子注入技术基础

半导体器件失效分析方法

【4. 初级集成电路全套技术】

小规模集成电路(SSI)设计方法

中规模集成电路(MSI)核心电路模块

基本逻辑门电路设计与优化

运算放大器设计与制造

数字-模拟转换器基础设计

光刻胶配方与工艺参数

掩膜版设计与制作技术

芯片封装与测试标准

【5. 简化的半导体工厂设计方案】

百级无尘室建设标准与方案

关键设备布局与工艺流程

质量控制点设置与检测方法

适应现有工业条件的简化方案

关键原材料替代与合成方法

【技术资料已植入宿主记忆,可随时调用】

信息洪流结束后,李明远瘫坐在椅子上,额头上满是冷汗。

这次获得的信息量极大,是一整套能够从零开始建立半导体工业的完整知识体系。

"这...这简直是宝藏啊..."李明远喃喃自语,手忙脚乱地抓起纸笔,开始记录脑海中的关键信息。

虽然系统说这些知识已经"植入记忆",但他还是习惯性地想把最重要的部分记录下来。