由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝或海力士、镁光等，但设计厂商在导入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。

这样内存唯一的优势就是便宜，它的缺点就是读写效率比较低。

这种内存目前为止最高读取效率为400mb/s，写入效率是70mb/s。（特指2015年。）

usf内存是2011年电子设备工程联合委员会，发布了第一代通用闪存存储标准，即UFS 2.0的前身。

不过第一代的UFS并不受欢迎，也没有对eMMC标准产生明显的影响。

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到了2013年，JEDEC在当年9月发布了UFS 2.0的新一代闪存存储标准。

UFS 2.0闪存读写速度理论上可以达到1400MB/s，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的SSD也相形见绌。

于是后来逐渐在高端设备市场上取代eMMC，成为移动设备的主流标配。

而实际上，UFS 2.0共有两个版本，其中一个是HS-G2，也就是目前的UFS 2.0。

然而，另个一个版本则为HS-G3，可以称为UFS 2.1，其数据读取速度将飙至1.5G/s，也就是UFS 2.0的两倍。

kos存储内存最好的读写效率可以达到30G/s，而且它还拥有更高的寿命和容量。

（效率视设计而定，曹莽购买的是第一代kos内存技术，第一代技术读写效率5.0g/s）

曹莽购买的最后一项技术就是芯片叠加技术。

这一项技术其实并不是什么先进的技术。

并不是只有华威一家研究过这一项技术，早在五六年前英特尔和amd就拥有这项技术了。

只是这两家通过叠加生产出来的cpu由于功耗过高不得不放弃这一种技术。

曹莽所购买的芯片叠加技术能够解决功耗过高的问题吗？

可能说能也可以说不能。

因为能量恒守是不可改变的事情，两颗芯片叠加它的功耗注定会增加。

曹莽所购买的技术只是降低了一部分芯片叠加后的功耗而已。

这技术降低了大概48%左右的功耗。

有了这项技术14纳米击败7纳米不是什么大问题。

唯一的缺点就是功耗。

对于这个问题曹莽的解决方法就是堆电池。

大幅度增加电池的容量。

对比研发光刻机增加电池容量简单许多。

这也是解决芯片封禁最简单最快速的处理方法。

而且也是成本最低的解决方法。